第404章 碳化硅技术（1/2）

如果不能攻克碳化硅技术，龙国的能源危机无法解决，科技发展将陷入瓶颈，航天、军工、计算机等领域的突破都将受到严重限制！

这是一场关乎国家未来的科技攻坚战！

“我们从碳热还原法入手。”

在实验室里，材料学专家们围在研究台前，仔细讨论着实验方案。

碳热还原法，是一种理论上可行的碳化硅制备工艺——以二氧化硅（SiO?）和高纯碳（C）为原料，在高温炉中反应，生成碳化硅（SiC）。

化学方程式如下：

SiO2+3C→SiC+2CO↑SiO_2+3C→SiC+2CO↑SiO

2

+3C→SiC+2CO↑

理论上，这个反应简单可行。但现实，却远比想象中复杂！

第一次实验——失败！

当科研人员将高纯度石英粉（SiO?）和碳黑（C）混合后放入高温炉，并将温度升高至2000℃时，炉内反应剧烈。

然而，当他们取出反应产物时，却发现——

碳化硅的纯度极低，夹杂着大量未完全反应的杂质！

“温度控制不稳定，导致反应不完全！”

“而且，碳源的纯度不够，导致最终产物中含有大量杂质！”

第二次实验——依旧失败！

科研团队尝试调整炉温，并更换更高纯度的碳粉，但依然无法得到真正高纯度的碳化硅晶体。

第三次、第四次……第十次实验——全部失败！

实验室里，科研人员们的脸上满是疲惫，但没有一个人选择放弃。

陈平安站在实验室中央，目光坚定地看着所有人：“问题出在哪里？”

材料专家擦了擦布满汗水的额头，沉声道：“炉温控制！碳化硅的形成需要极为稳定的高温环境，而我们的高温炉，温度波动达到了±50℃，这会直接影响碳化硅的结晶质量！”

“另外，碳化硅晶体在生成过程中，容易受到氧化杂质的污染，导致最终产品纯度下降。”

陈平安点了点头，沉思片刻后，缓缓说道：“那就从高温炉和原料提纯技术入手，逐步攻克！”

科研团队开始多线并行攻关——

（1）自主研发新型高温炉！

“如果现有的高温炉温控不稳定，那我们就自已造一台更精准的！”

在陈平安的指示下，龙国的热工专家和机械工程师联手，开始研发一款全新高精度工业高温炉！

他们引入了先进的温控技术，将炉内温度波动控制在±5℃以内，确保碳化硅晶体能在稳定的高温环境中生长。

此外，他们还在炉内增加了特制的惰性气体保护层，防止杂质混入，提高碳化硅的结晶质量！

（2）改进原料提纯技术！

“如果碳粉和二氧化硅的纯度不够，那我们就想办法提纯！”

材料科学家们开始研究新的提纯工艺——

利用化学沉淀法，提高二氧化硅的纯度，去除杂质颗粒！

采用等离子体净化技术，提高碳粉纯度，确保碳源质量！

增加多道过滤工序，减少反应过程中的杂质混入！

这一系列技术改进，大幅度提升了碳化硅的提取质量！

时间一天天过去，科研团队在实验室里日夜奋战，无数次失败、无数次调整、无数次数据修正……

终于，在第297次实验中——

当研究员们打开高温炉，取出反应产物时，所有人都屏住了呼吸！

晶莹剔透的碳化硅晶体，静静地躺在炉盘上！

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